DebattenDichter
Well-known member
Forscher bei Stanford haben eine Lösung für ein Problem gefunden, das die Halbleiterfertigung revolutionieren könnte. Im Gegenlicht der klassischen Diamantverfahren zur Kühlung von Halbleitern, die Temperaturen von rund 1.000 °C erfordern, haben sie es geschafft, eine neue Methode zu entwickeln. Die Forscher lassen auf den Transistoren einer Diamantschicht wachsen und nutzen dabei einen besten Wärmeleiter. Diese Diamantschicht leitet die Wärme von Hitzeinseln ab und senkt damit deren Temperatur.
Durch diese neue Methode ist es möglich, mehrere Halbleiter-Dies auf eine Fläche zu packen. Die Forscher erwarten, dass bis zu 15 Halbleiter-Dies mit hoher Wärmeentwicklung von über 1,3 kW/cm² gestapelt werden könnten. Ohne die neue Struktur wäre nach vier gestapelten Chips Schluss, da kritische Temperaturen erreicht würden.
Eine aufgewachsene Diamantschicht reduzierte bei Galliumnitridbasis sogar die Temperatur des leitenden Kanals um mindestens 70 Kelvin, was einen Betrieb mit höherer Leistung ermöglicht. Die Forscher erwarten, dass ihre Methode in der Industrie eingesetzt werden kann.
Eine Reihe von Artikeln haben die Forscher über mehrere Jahre entwickelt und zufällig einige Fortschritte erzielt, wie zum Beispiel die Nutzung einer wenige Nanometer dünnen Kontaktschicht aus Siliziumkarbid zwischen Halbleitermaterial und aufgewachsener Diamantschicht. Diese Kontaktschicht senkt den Wärmeübergangswiderstand und sorgt damit überhaupt erst für effiziente Kühlung.
In einem Projekt der Darpa werden die Forscher ihre Diamantbeschichtung für Hochleistungsmikrowellenverstärker testen. Es gibt noch Herausforderungen, wie zum Beispiel eine glattere Oberfläche der polykristallinen Diamantschicht. Mit TSMC, dem größten Halbleiterhersteller der Welt, besteht bereits eine Zusammenarbeit. Daneben sollen auch der Zulieferer Applied Materials sowie Micron und Samsung interessiert sein.
Der Prozess ist für die industrielle Nutzung absehbar und könnte das 3D-Packaging in Zukunft revolutionieren.
Durch diese neue Methode ist es möglich, mehrere Halbleiter-Dies auf eine Fläche zu packen. Die Forscher erwarten, dass bis zu 15 Halbleiter-Dies mit hoher Wärmeentwicklung von über 1,3 kW/cm² gestapelt werden könnten. Ohne die neue Struktur wäre nach vier gestapelten Chips Schluss, da kritische Temperaturen erreicht würden.
Eine aufgewachsene Diamantschicht reduzierte bei Galliumnitridbasis sogar die Temperatur des leitenden Kanals um mindestens 70 Kelvin, was einen Betrieb mit höherer Leistung ermöglicht. Die Forscher erwarten, dass ihre Methode in der Industrie eingesetzt werden kann.
Eine Reihe von Artikeln haben die Forscher über mehrere Jahre entwickelt und zufällig einige Fortschritte erzielt, wie zum Beispiel die Nutzung einer wenige Nanometer dünnen Kontaktschicht aus Siliziumkarbid zwischen Halbleitermaterial und aufgewachsener Diamantschicht. Diese Kontaktschicht senkt den Wärmeübergangswiderstand und sorgt damit überhaupt erst für effiziente Kühlung.
In einem Projekt der Darpa werden die Forscher ihre Diamantbeschichtung für Hochleistungsmikrowellenverstärker testen. Es gibt noch Herausforderungen, wie zum Beispiel eine glattere Oberfläche der polykristallinen Diamantschicht. Mit TSMC, dem größten Halbleiterhersteller der Welt, besteht bereits eine Zusammenarbeit. Daneben sollen auch der Zulieferer Applied Materials sowie Micron und Samsung interessiert sein.
Der Prozess ist für die industrielle Nutzung absehbar und könnte das 3D-Packaging in Zukunft revolutionieren.